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泽攸窜贰惭20扫描显微镜的成像性能实测

在 30?kV、束流 1?nA 条件下，对 30?kV 金标样的线宽测得 8?nm（SE），信噪比 34?dB。降低至 10?kV 时分辨率 ≤?10?nm，仍保持对比度 >?0.45，适合低压非导电样品的观。

设备顶部预留 30 mm? EDS 接口，支持无窗硅漂移探测器。对 Mn Kα 峰，能量分辨率 129 eV，输入计数率 30 kcps。以 Cu-Zn 合金为例，面扫描时间 120 s，像素 400 × 300，生成 Cu、Zn、O 三通道图。EDS 软件与SEM主控共享坐标文件，可在图像上叠加元素分布，实现形貌与成分同步观察。对轻元素 C、N，建议采用 7 kV 低电压，减少束流扩散，提高空间一致性。

• 金颗粒实验：5?% 金胶稀释后滴加硅片，使用 15?kV、50?pA，二次电子计数 1.2?Mcps，双颗粒间距 10?nm 可清晰分辨，图像漂移 <?0.3?pixel（30?s 连拍 30 张）。

• 碳纳米管：3?kV、20?pA，背散射模式下管壁厚度 6?nm 可测，低电压有效抑制充电。

• 景深：5?kV、20?pA 条件下，对 40?µm 多孔硅进行倾斜扫描，景深 35?µm，优于同档传统钨灯丝系统约 22?µm。

典型模式性能表