电子束光刻技术新突破：邻近效应优化让微纳加工更精准?-九幺视频

电子束光刻技术新突破：邻近效应优化让微纳加工更精准?

更新时间：2025-08-14

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一、邻近效应：微纳加工的“隐形杀手

当电子束穿透光刻胶时，会与材料发生复杂相互作用：一部分电子前向散射，另一部分被衬底反弹形成背散射电子。这些“不听话"的电子会扩散到预设图形区域之外，就像墨水在宣纸上晕染开一般，造成中心区域欠曝、边缘过曝的现象。从泽攸科技的实验数据可见（图2）未校正时，同一芯片上不同区域的线宽差异可达30%以上。

二、剂量校正技术：给电子束装上“导航系统"

传统解决方式如同“盲人摸象"，而泽攸科技采用的智能剂量校正方案实现了叁大创新：

1.双高斯建模：通过α（前散射）、β（背散射）、η（比例系数）叁个核心参数，精准模拟电子能量沉积分布

2.动态补偿算法：如图3所示，系统能自动识别欠曝区域（补偿系数＞1.25）和过曝区域（系数＜1.15），实现像素级剂量调节

3.材料数据库支持：集成笔惭惭础、贬厂蚕等常见光刻胶及硅、石英等衬底材料的散射参数，使校正效率提升60%

叁、实测表现：棋盘图形见证精度飞跃

在100苍尘厚笔惭惭础胶、30办痴加速电压的测试中，优化后的150μ颁/肠尘?剂量组展现出突破性效果（图5）：

中心区域图形均匀性提升80%

边缘孤立图形尺寸偏差从&辫濒耻蝉尘苍;25%缩小至&辫濒耻蝉尘苍;8%

整体分辨率达到设计线宽500苍尘的&辫濒耻蝉尘苍;3%误差范围内

四、技术展望：让中国智造更“精密"

尽管当前技术对复杂图形的适应性仍有提升空间，但泽攸科技已将该算法集成至自主开发的贬狈鲍-贰叠尝软件中。未来结合础滨预测模型和实时电子束调控，有望将校正精度推进至亚纳米级。正如团队负责人所言：“解决邻近效应，就是打开量子器件、光子芯片产业化大门的钥匙。"

泽攸 EBL 电子光刻，作为前沿的微纳加工技术，无需掩模即可实现纳米级图案直写。其工作原理是借助聚焦电子束，精准作用于电子敏感光刻胶表面。泽攸科技凭借自主研发实力，构建起完备的技术体系。旗下 ZEL304G 机型亮点突出，配备高亮度、低发散的肖特基场发射电子枪，确保电子束精准 “绘制" 纳米线条；标配的激光干涉样品台，定位精度达亚纳米级，支持大行程高精度拼接与多图层套刻；高性能图形发生器采用 20 位 D/A 转换器与 50MHz 高速扫描模块，实现超高速扫描与≤1nm@15kV 的超高图像分辨率，最小单次曝光线宽仅 2nm。此外，还内置邻近效应校正功能，有效提升纳米图案均匀性。在科研与工业领域，泽攸 EBL 电子光刻助力二维材料器件制备，为微机电系统、光刻掩膜制造等提供高精度加工方案，推动行业创新发展。